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d33測(cè)量范圍： ×1擋：10到2000pC/N，20 至4000pC/N，可以升級(jí)到10000PC/N. ×0.1擋： 1到200pC/N，2 至400pC/N。 可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用 可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用 誤差：×1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在100到4000pC/N； *計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸：18mm*0.8mm，

TZTFE-2000薄膜鐵電測(cè)試儀是一款應(yīng)用于薄膜材料的鐵電性能測(cè)試的設(shè)備，該設(shè)備具有動(dòng)態(tài)電滯回線(DHM)、I-V特性、脈沖(PUND)、靜態(tài)電滯回線(SHM)、疲勞(FM)、漏電流(LM)、電流-偏壓、保持力(RM)、印跡(IM)的測(cè)試功能.，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

關(guān)于近代物理學(xué)所擴(kuò)展新實(shí)驗(yàn)設(shè)備(ZJ-3壓電，TDZT-04C鐵電，DLT-01 Dielectric tester型介電測(cè)試儀) 近代物理實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室面積約800平方米，總資產(chǎn)達(dá)1200多萬(wàn)元，涉及原子物理、原子核物理、固體物理、凝聚態(tài)物理、磁學(xué)、光學(xué)、真空技術(shù)、當(dāng)代新興物理實(shí)驗(yàn)技術(shù)等領(lǐng)域的綜合設(shè)計(jì)性項(xiàng)目30個(gè)，為學(xué)生開(kāi)設(shè)80學(xué)時(shí)的必修課程。另有微結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)與性能模擬平臺(tái)一個(gè)，用于進(jìn)行虛

HTRC-800型高溫導(dǎo)電材料電阻率測(cè)試系統(tǒng)是一款用于測(cè)量材料電阻，電導(dǎo)率的專(zhuān)用設(shè)備，采用由四端測(cè)量方法測(cè)試電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱為一體的專(zhuān)用的高溫測(cè)試系統(tǒng)，滿足半導(dǎo)體及導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的 測(cè)量要求，通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測(cè)量導(dǎo)電材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣的電阻和電阻率隨溫度、 時(shí)間變化的曲 線． 目前主要針對(duì)圓片、方塊、長(zhǎng)條等樣品進(jìn)行測(cè)試，可以廣泛用于碳

近代物理實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室面積約800平方米，總資產(chǎn)達(dá)1200多萬(wàn)元，涉及原子物理、原子核物理、固體物理、凝聚態(tài)物理、磁學(xué)、光學(xué)、真空技術(shù)、當(dāng)代新興物理實(shí)驗(yàn)技術(shù)等領(lǐng)域的綜合設(shè)計(jì)性項(xiàng)目30個(gè)，為學(xué)生開(kāi)設(shè)80學(xué)時(shí)的必修課程。另有微結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)與性能模擬平臺(tái)一個(gè)，用于進(jìn)行虛擬仿真實(shí)驗(yàn)，共有35個(gè)項(xiàng)目，其中課內(nèi)安排了2個(gè)項(xiàng)目共10學(xué)時(shí)。近代物理中的壓電(D33測(cè)試儀，TDZT-0C4型鐵電測(cè)試儀，DLT-0

高溫絕緣材料是指在高溫環(huán)境中仍能保持良好絕緣性能的材料。這些材料通常具有較高的耐熱性、電氣絕緣性能和機(jī)械強(qiáng)度，能夠在高溫、高壓、高速、高濕等惡劣環(huán)境下正常工作。 高溫絕緣材料可以按照其物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)以及工業(yè)應(yīng)用等多個(gè)方面進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)物理性質(zhì)，可以分為無(wú)機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料兩種；根據(jù)化學(xué)性質(zhì)，可以分為聚氨酯、腈綸、聚酰亞胺等多種材料。 常用的高溫絕緣材料有聚酰亞胺、軟硅橡膠和聚腈類(lèi)材料等。